鋁碳化硅封裝外殼

鋁碳化硅擁有良好的熱導(dǎo)性能，因此在電子封裝領(lǐng)域擁有很廣泛的應(yīng)用。本產(chǎn)品是由鈞杰陶瓷推出的一款高精密、高性能的鋁碳化硅封裝外殼，我們采用了先進(jìn)的加工工藝，可以使產(chǎn)品的表面粗糙度達(dá)到Ra0.4左右，尺寸精度最高可達(dá)0.005mm。我們擁有五軸聯(lián)動(dòng)加工設(shè)備，可加工結(jié)構(gòu)復(fù)雜的多面體。

鋁碳化硅AlSiC，發(fā)音為“alsick”，是一種金屬基復(fù)合材料，由鋁基體和碳化硅顆粒組成。它具有高導(dǎo)熱性（180-200 W/m K），并且可以調(diào)整其熱膨脹以匹配其他材料，例如硅和砷化鎵芯片和各種陶瓷。它主要用于微電子領(lǐng)域，作為功率半導(dǎo)體器件和高密度多芯片模塊的基板，有助于去除廢熱。
鋁碳化硅存在幾種變體：
AlSiC-9，包含 37 vol.% 的 A 356.2 鋁合金和 63 vol.% 的碳化硅。其導(dǎo)熱系數(shù)為 190–200 W/m K。其熱膨脹率與砷化鎵、硅、磷化銦、氧化鋁、氮化鋁、氮化硅和直接鍵合氮化銅鋁大致匹配。它還與一些低溫共燒陶瓷兼容，例如Ferro A6M 和 A6S、Heraeus CT 2000 和 Kyocera GL560。它在 25 °C 時(shí)的密度為 3.01 g/cm3。
AlSiC-10，包含 45 vol.% 的 A 356.2 鋁合金和 55 vol.% 的碳化硅。它的熱導(dǎo)率為 190–200 W/m K。它的熱膨脹大致匹配，例如印刷電路板、FR-4 和 Duroid。它在 25 °C 時(shí)的密度為 2.96 g/cm3。
AlSiC-12，包含 63 vol.% 的 A 356.2 鋁合金和 37 vol.% 的碳化硅。其導(dǎo)熱系數(shù)為 170–180 W/m K。它與通常與 AlSiC-10 相同的材料兼容。它在 25 °C 時(shí)的密度為 2.89 g/cm3。
AlSiC 復(fù)合材料是銅鉬 (CuMo) 和銅鎢 (CuW) 合金的合適替代品；它們的重量約為銅的 1/3、CuMo 的 1/5 和 CuW 的 1/6，使其適用于對(duì)重量敏感的應(yīng)用；它們也比銅更堅(jiān)固、更堅(jiān)硬。它們可用作散熱器、電力電子設(shè)備的基板（例如 IGBT 和大功率 LED）、散熱器、電子設(shè)備外殼和芯片蓋子，例如微處理器和 ASIC。用于冷卻劑的金屬和陶瓷刀片和通道可以在制造過(guò)程中集成到零件中。 AlSiC 復(fù)合材料的生產(chǎn)成本相對(duì)較低（大批量生產(chǎn) 2-4 美元/磅）；然而，專用工具會(huì)導(dǎo)致大量的前期費(fèi)用，使 AlSiC 更適合成熟的設(shè)計(jì)。 [1] [2]熱管可以嵌入到 AlSiC 中，將有效熱導(dǎo)率提高到 500–800 W/m K。
AlSiC 部件通常采用近凈成形方法制造，即通過(guò) SiC 粘合劑漿料的金屬注射成型制造 SiC 預(yù)制件，燒制以去除粘合劑，然后在壓力下用熔融鋁滲透。零件可以以足夠的公差制造，不需要進(jìn)一步加工。該材料完全致密，沒(méi)有空隙，并且是密封的。其高剛度和低密度適合用于散熱的翅片等壁薄的較大部件。 AlSiC 可以鍍鎳和鎳金，或通過(guò)熱噴涂其他金屬。陶瓷和金屬嵌件可以在鋁滲透之前插入預(yù)制件中，從而形成氣密密封。 [3] AlSiC也可以通過(guò)機(jī)械合金化制備。當(dāng)使用較低程度的 SiC 含量時(shí)，零件可以由 AlSiC 片材沖壓而成。
鋁基體含有大量位錯(cuò)，這是材料強(qiáng)度的原因。由于碳化硅顆粒不同的熱膨脹系數(shù)，在冷卻過(guò)程中會(huì)引入位錯(cuò)。類似的材料是 Dymalloy，用銅銀合金代替鋁，用金剛石代替碳化硅。其他材料有碳纖維增強(qiáng)銅、金剛石增強(qiáng)鋁、增強(qiáng)碳碳和熱解石墨。