氮化鋁陶瓷是第三代半導體材料嗎

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隨著科技的發(fā)展，半導體領域的用途也越來越廣，半導體對材料的要求也越來越高，從第一代的硅、鍺為代表，再到第二代打砷化鎵、磷化銦，以及現在的第三代半導體碳化硅陶瓷、氮化鎵陶瓷、氧化鋅陶瓷、金剛石陶瓷、氮化鋁陶瓷等。今天我們就來講講其中之一，氮化鋁陶瓷作為第三代半導體材料它比第二帶半導體材料要求更多，第二代只是要求有較好的電子遷移、帶隙等要求。而第三代的要求更多如更加優(yōu)異的電子遷移率、寬帶隙、擊穿電壓、高頻等要求。第三代半導體材料有著寬禁帶，全組分直接帶隙。與前兩代半導體材料相比，更寬的禁帶寬度讓材料在更高的溫度、電壓以及開關頻率下運行。

根據這些要求，它對特性的要求更高，如高溫、高頻、高導熱、高強度等，而氮化鋁則正好滿足這些特性。高導熱讓氮化鋁陶瓷可以達到230W/m·K，讓它在散熱領域有著廣泛的前景，寬禁帶讓氮化鋁陶瓷有著很高的擊穿電場，一般用于高壓器械類，源于氮化鋁陶瓷的特性，一般用在光電器件、功率器件和射頻器件等。因此作用與各種高性能半導體設備，這也讓氮化鋁陶瓷在半導體領域的地位直線上升。